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吸收和諧振吸收電容器與半導體部件并聯(lián)連接是為了降低其高頻開關操作產(chǎn)生的高壓峰值。諧振電容器必須承受持續(xù)性高頻交流電壓，通常是正弦波，并且需要有一定的承受過壓的能力。對于吸收電容和諧振電容，自溫升和耐脈沖能力都是關鍵的參數(shù)。吸收脈沖可選用 MPC25、PPS 諧振電容可選用MPC24、MPC03

Product Features Product Specifications Product Certification

典型運用場合：繼電器、可控硅吸收回路

膜材質(zhì)：MPE膜

引線材質(zhì)：CP/鍍錫銅線

容值范圍	0.01uF~75uF	0.01uF~12.0uF	0.022uF~10.0uF	0.01uF~10.0uF
外觀尺寸	(16~57)(6~32)(4~20)	(16~46)(6~32)(4~20)	(12~46)(6~32)(4~20)	(16~57)(6~33)(4~24)
腳距	W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57	W12,W24 W26,W32,W36,W46	W12,W24 W26,W32,W36,W46	W16,W24 W26,W32,W36,W46,W57
電壓	100VDC	250VDC	400VDC	630VDC
精度	±5%，±10%	±5%，±10%	±5%，±10%	±5%，±10%
基膜厚度	5~12	5~12	5~12	5~12
留邊距離	≥1.5mm	≥1.5mm	≥1.5mm	≥1.5mm
方阻	2~10Ω/□	2~10Ω/□	2~10Ω/□	2~10Ω/□
最新標準	GB/T 6346.11-2015

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